ESMT
DC特定网络阳离子
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充电掉电待机
当前
空闲待机电流
活跃
当前
掉电
待机
符号
测试条件
-5
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2N
IDD3P
t
RC
= t
RC
（ MIN ）T
CK
= t
CK
（分钟）
主动 - 预充电
突发长度= 2吨
RC
= t
RC
（分钟），CL = 3
I
OUT
= 0毫安，主动 - 读 - 预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟） ，所有
银行闲置
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
=
t
CK
（分钟）
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=
t
CK
（分钟）
一家银行;主动预充电，T
RC
=
t
RAS
（最大） ，
t
CK
= t
CK
（分钟）
突发长度= 2 ， CL = 3 ，T
CK
= t
CK
（分钟） ，我
OUT
= 0毫安
突发长度= 2 ， CL = 3 ，T
CK
= t
CK
（分钟）
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
120
175
20
70
20
M13S32321A
VERSION
-6
100
150
20
60
20
mA
mA
mA
mA
mA
单位注
主动待机电流
IDD3N
90
80
mA
工作电流（读）
工作电流（写）
自动刷新当前
自刷新电流
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
260
210
190
3
220
180
160
3
mA
mA
mA
mA
1
注1：使能片刷新和地址计数器。
交流工作条件&时序规范
交流工作条件
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入不同的电压， CLK和CLK输入
输入交叉点电压， CLK和CLK输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
IX
（AC）的
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.45
V
REF
- 0.45
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注1 。 V
ID
是在CLK的输入电平与所述输入上的CLK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
输入/输出电容
(V
DD
= 2.375V~2.625V, V
DDQ
= 2.375V 〜 2.625V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容
（ A0 〜 A9 ， BA0 〜 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
)
输入电容（ CLK ， CLK ）
数据& DQS输入/输出电容
输入电容（DM）的
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
民
2
2
4.0
4.0
最大
3
3
5
5
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修订： 1.1
5/50
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
