ESMT
DC特定网络阳离子
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充电掉电待机
当前
空闲待机电流
活跃
当前
掉电
待机
符号
测试条件
t
RC
= t
RC
（ MIN ）T
CK
= t
CK
（分钟）
主动 - 预充电
突发长度= 2吨
RC
= t
RC
（分钟），CL =
2.5 I
OUT
= 0毫安，主动 - 读 -
预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟） ，所有
银行闲置
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
=
t
CK
（分钟）
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=
t
CK
（分钟）
一家银行;主动预充电，T
RC
=
t
RAS
（最大） ，
t
CK
= t
CK
（分钟）
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，T
CK
= t
CK
（分钟） ，我
OUT
= 0毫安
突发长度= 2 ， CL = 2.5 ，T
CK
= t
CK
（分钟）
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
VERSION
-5
130
M13S2561616A
工作温度条件-40〜 85°C
-6
120
单位注
IDD0
mA
IDD1
185
165
mA
IDD2P
IDD2N
IDD3P
30
60
50
25
55
45
mA
mA
mA
主动待机电流
IDD3N
95
90
mA
工作电流（读）
工作电流（写）
自动刷新当前
自刷新电流
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
290
290
270
5
250
250
250
5
mA
mA
mA
mA
1
注1：使能片刷新和地址计数器。
交流工作条件&时序规范
交流工作条件
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入不同的电压， CLK和CLK输入
输入交叉点电压， CLK和CLK输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
IX
（AC）的
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注1 。 V
ID
是在CLK的输入电平与所述输入上的CLK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
输入/输出电容
(V
DD
= 2.3V~2.7V, V
DDQ
= 2.3V 〜 2.7V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容
（ A0 〜 A11 ， BA0 〜 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
)
输入电容（ CLK ， CLK ）
数据& DQS输入/输出电容
输入电容（DM）的
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
民
2.0
2.0
4.0
4.0
最大
3.0
3.0
5.0
5.0
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2007年12月
修订： 1.1
6/49
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
