欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M13S2561616A-5TG 参数 Datasheet PDF下载

M13S2561616A-5TG图片预览
型号: M13S2561616A-5TG
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 4M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 1315 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
 浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M13S2561616A-5TG的Datasheet PDF文件第11页  
ESMT
AC时序参数&规格-继续
参数
半个时钟周期
DQ- DQS输出保持时间
数据保持倾斜因子
至预充电命令
行周期时间
自动刷新行周期时间
ACTIVE读取,写入延迟
预充电命令期
激活到读与AUTOPRECHARGE
命令
活跃​​银行A到有效的银行B
命令
写恢复时间
写数据进行读取命令延迟
上校地址上校地址的延迟
平均周期刷新间隔
写序言
写后同步
DQS读序言
DQS阅读后同步
时钟DQS写序言建立时间
加载模式寄存器/扩展模式
注册周期时间
退出自刷新,以读取命令
退出自刷新非读命令
Autoprecharge写恢复+预充电
时间
符号
t
HP
t
QH
t
QHS
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RP
t
RAP
t
RRD
t
WR
t
WTR
t
CCD
t
REFI
t
WPRE
t
WPST
t
RPRE
t
RPST
t
WPRES
t
MRD
t
XSRD
t
XSNR
t
DAL
-4
t
CL
分或
t
CH
t
HP
-t
QHS
-
40
52
64
15
15
18
8
15
2
1
-
0.25
0.4
0.9
0.4
0
2
200
75
30
最大
-
-
0.45
70K
-
-
-
-
120K
-
-
-
-
7.8
-
0.6
1.1
0.6
-
-
-
-
-
t
CL
分或
t
CH
t
HP
-t
QHS
-
40
55
70
15
15
18
10
15
2
1
-
0.25
0.4
0.9
0.4
0
2
200
75
30
-5
M13S2561616A
-6
最大
-
-
0.45
70K
-
-
-
-
120K
-
-
-
-
7.8
-
0.6
1.1
0.6
-
-
-
-
-
t
CL
分或
t
CH
t
HP
-t
QHS
-
42
60
72
18
18
18
12
15
1
1
-
0.25
0.4
0.9
0.4
0
1
200
75
-
最大
-
-
0.5
70K
-
-
-
-
120K
-
-
-
-
7.8
-
0.6
1.1
0.6
-
-
-
-
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
us
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年9月
修订: 2.0
7/49