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M13S2561616A-5BIG 参数 Datasheet PDF下载

M13S2561616A-5BIG图片预览
型号: M13S2561616A-5BIG
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内容描述: 4M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 49 页 / 1315 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意:
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
1500
50
M13S2561616A
工作温度条件-40〜 85°C
单位
V
V
V
°C
mW
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件&规格
DC操作条件
推荐工作条件(电压参考V
SS
= 0V ,T
A
= -40〜 85 ℃)下
参数
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压(系统)
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平, CLK和CLK输入
输入差分电压, CLK和CLK输入
输入漏电流
输出漏电流
高输出电流(普通强度的驱动程序)
(V
OUT
=V
DDQ
-0.373V ,分V
REF
,分V
TT
)
低输出电流(普通强度的驱动程序)
(V
OUT
= 0.373V)
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
V
IN
(DC)的
V
ID
(DC)的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
-5/6
2.3
2.3
0.49*V
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
-5
-5
-16.8
+16.8
最大
-5/6
2.7
2.7
0.51*V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
5
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
1
2
μ
A
μ
A
mA
mA
3
注意事项1. V
REF
预计是等于0.5 * V
DDQ
发送设备的,并跟踪变化的相同的DC电平。
峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过DC值的2%。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是系统供应信号的端接电阻,有望被设置成等于
到V
REF
的,必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
ID
是在CLK的输入电平,并在CLK信号的输入电平之间的差的量值。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2007年12月
修订: 1.1
5/49