M13S2561616A-4BG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M13S2561616A-4BG
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内容描述：	4M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	49 页 / 1315 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

ESMT

60球BGA

SSQ

DQ14

M13S2561616A

DQ15

DDQ

DQ13

DQ2

DQ0

SSQ

DDQ

DQ1

DQ3

DQ12

DQ10

DQ8

REF

SSQ

DDQ

SSQ

CLK

DQ11

DQ9

UDQS

DQ4

DQ6

LDQS

DDQ

SSQ

DDQ

CAS

BA0

A10/AP

DQ5

DQ7

UDM

CLK

LDM

A12

A11

CKE

RAS

BA1

引脚说明

引脚名称

功能

地址输入

- 行地址A0 〜 A12

- 列地址A0 〜 A8

A10 / AP ：自动预充电

BA0 ， BA1 ：银行选择（ 4组）

数据输入/数据输出

行地址选通

列地址选通

写使能

地

动力

双向数据选通。 LDQS

对应于DQ0 〜 DQ7数据;

UDQS上对应于数据

DQ8~DQ15.

引脚名称

功能

DM是输入掩码信号写

数据。 LDM对应于数据

在DQ0 〜 DQ7 ; UDM对应

在DQ8 〜 DQ15数据。

时钟输入

时钟使能

芯片选择

电源电压为GDQ

地面DQ

参考电压为SSTL- 2

A0~A12,

BA0,BA1

LDM ， UDM

DQ0~DQ15

RAS

CAS

CLK ， CLK

CKE

DDQ

SSQ

REF

LDQS ， UDQS

无连接

晶豪科科技有限公司

出版日期： 2009年9月

修订： 2.0

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