ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
在V电压
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
待定
50
M13S128168A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
单位
V
V
V
°C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件&规格
DC操作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -40〜 85 ℃）下
参数
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CLK和CLK输入
输入差分电压， CLK和CLK输入
输入漏电流
输出漏电流
高输出电流（普通强度的驱动程序）
(V
OUT
=V
DDQ
-0.373V ，分V
REF
，分V
TT
)
低输出电流（普通强度的驱动程序）
(V
OUT
= 0.373V)
输出高电流（弱实力的驱动程序）
(V
OUT
=V
DDQ
-0.763V ，分V
REF
，分V
TT
)
输出电流低（弱力驱动程序）
(V
OUT
= 0.763V)
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
民
2.375
2.375
0.49*V
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
-2
-5
-16.8
+16.8
-9
+9
最大
2.75
2.75
0.51*V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
2
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
3
4
1
2
记
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
mA
注意事项1. V
REF
预计是等于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。
峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过DC值的2％。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是系统供应信号的端接电阻，有望被设置成等于
到V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
ID
是在CLK的输入电平，并在CLK信号的输入电平之间的差的量值。
4. V
IN
= 0V至V
DD
，所有其他引脚没有在V测试
IN
= 0V.
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年3月
修订： 1.2
4/49
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
