ESMT
命令真值表
命令
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扩展MRS
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
自
刷新
条目
出口
CKEN - 1 CKEN CS
H
H
H
L
H
H
X
X
H
L
H
X
X
L
L
L
L
H
L
L
RAS
L
L
L
H
X
L
H
CAS
L
L
L
H
X
H
L
WE
M13S128168A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
DM
X
X
X
X
X
X
BA0,1
A10/AP
操作码
操作码
X
X
A11,
A9~A0
记
1,2
1,2
3
3
3
3
4
4
4
4,6
7
L
L
H
H
X
H
H
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
写&
COLUMN
地址
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
条目
出口
预充电掉电
模式
DM
没有操作命令
条目
出口
V
V
行地址
L
H
COLUMN
地址
COLUMN
地址
H
H
H
H
L
H
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
X
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
H
X
X
X
X
X
X
V
L
H
X
V
X
L
H
X
X
5
主动关机
X
X
V
X
X
X
8
X
（V =有效， X =无所谓，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
1. OP代码：操作数代码。 A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @ EMRS / MRS）
2. EMRS / MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令可以发出EMRS或MRS后1个时钟周期。
3.自动刷新功能是相同的DRAM的CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然由“自动”的意思..
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是在读“低” ，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果BA0为“高”和BA1是“低” ，在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果BA0为“低”和BA1是“高” ，在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是“高” ，在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
5.如果A10 / AP是“高”的行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
6.在突发写入自动预充电，新的读/写命令不能发出。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
爆结束后。
7.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
在DQS和数据中的上升沿和下降沿8. DM采样的两个边缘都被屏蔽（写入DM延迟为0）。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年3月
修订： 1.2
8/49
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