ESMT
DC特定网络阳离子
参数
工作电流
（一银行活动）
工作电流
（一银行活动）
预充电掉电
待机电流
空闲待机电流
主动省电待机
当前
主动待机电流
工作电流（读）
工作电流（写）
自动刷新当前
自刷新电流
符号
测试条件
t
RC
= t
RC
（分钟） ，T
CK
= t
CK
（ MIN）
主动 - 预充电
突发长度= 2 ，T
RC
= t
RC
（分钟），CL = 2.5 ，
I
OUT
= 0毫安，主动 - 读 - 预充电
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
= t
CK
（ MIN）
所有银行闲置
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（ MIN）
t
CK
= t
CK
（分钟）
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
所有银行ACT ， CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CK
= t
CK
（分钟）
一家银行;主动预充电，
t
RC
= t
RAS
（最大值），叔
CK
= t
CK
（分钟）
突发长度= 2 ， CL = 3 ，T
CK
= t
CK
（ MIN）
I
OUT
= 0毫安
突发长度= 2 ， CL = 3 ，T
CK
= t
CK
（分钟）
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
100
300
300
300
5
55
-4
140
190
40
M13S128168A
VERSION
-5
140
175
40
-6
140
150
40
单位注
IDD0
IDD1
IDD2P
mA
mA
mA
IDD2N
100
100
95
mA
50
100
245
240
270
5
45
100
215
200
250
5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1
注： 1。启用芯片刷新和地址计数器。
交流工作条件&时序规范
交流工作条件
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入不同的电压， CLK和CLK输入
输入交叉点电压， CLK和CLK输入
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
ID
（AC）的
V
IX
（AC）的
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注：1， V
ID
是在CLK的输入电平与所述输入上的CLK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的DC电平
同样的。
输入/输出电容
(V
DD
= 2.375V~2.75V, V
DDQ
= 2.375V 〜 2.75V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
(V
DD
= 2.6V~2.8V, V
DDQ
= 2.6V 〜 2.8V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的（速度-4 ） ）
参数
输入电容
（ A0 〜 A11 ， BA0 〜 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
)
输入电容（ CLK ， CLK ）
数据& DQS输入/输出电容
输入电容（DM）的
晶豪科科技有限公司
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
IN3
民
2.5
2.5
4.0
4.0
最大
3.5
3.5
5.5
5.5
单位
pF
pF
pF
pF
出版日期： 2008年12月
修订： 2.2
5/49
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
