ESMT
DDR SDRAM
特点
JEDEC标准
内部流水线双数据速率的体系结构,在每个时钟周期2的数据访问
双向数据选通( DQS)
片上DLL
差分时钟输入( CLK和CLK )
DLL对齐DQ和DQS与CLK的过渡转型
四银行操作
CAS延迟: 2 ; 2.5 ; 3; 4
突发类型:顺序和交错
突发长度: 2 , 4 , 8 ,整版
整页突发长度为顺序突发类型只
全页突发的起始地址应该是偶数
除了数据& DM进行采样的系统时钟的上升沿的所有输入(CLK)
我的数据在数据选通信号的两边/ O转换( DQS )
DQS是边沿对齐的数据进行读取;中心对齐与写入数据
数据屏蔽( DM)只写屏蔽
V
DD
= 2.375V ~ 2.625V, V
DDQ
= 2.375V ~ 2.625V
自动&自我刷新
32ms的刷新周期( 4K周期)
SSTL - 2 I / O接口
144Ball FBGA封装和100引脚LQFP封装
M13S128324A
工作温度条件-40〜 85°C
1M ×32位×4银行
双倍数据速率SDRAM
工作频率:
产品编号
M13S128324A -5BIG
M13S128324A -6BIG
M13S128324A -5LIG
M13S128324A -6LIG
最大频率
200MHz
166MHz
200MHz
166MHz
VDD
2.5V
2.5V
2.5V
2.5V
包
144球FBGA
144球FBGA
100引脚LQFP
100引脚LQFP
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2007年12月
修订: 1.0
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