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M13S128324A-5BG 参数 Datasheet PDF下载

M13S128324A-5BG图片预览
型号: M13S128324A-5BG
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内容描述: 1M ×32位×4银行双倍数据速率SDRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 50 页 / 950 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
管脚配置
M13S128324A
DQ29
V
SSQ
DQ30
DQ31
V
SS
V
DDQ
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
V
SSQ
N.C
的DQ
V
DDQ
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
50
49
48
47
46
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
A
9
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
A11
A10
V
DD
A
3
A
2
A
1
A
0
100引脚LQFP
正激式
20× 14毫米
0.65 mmpin间距
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
引脚说明
(M13S128324A)
引脚名称
功能
地址输入
- 行地址A0 〜 A11
- 列地址A0 〜 A7
A8 / AP :自动预充电
BA0 , BA1 :银行选择( 4组)
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
动力
双向数据选通。
DQS0对应于DQ0 〜 DQ7数据。
DQS1对应于DQ8 〜 DQ15数据。
DQS2对应于DQ16 〜 DQ23的数据。
DQS3对应于DQ24 〜 DQ31的数据。
双向数据选通。
引脚名称
功能
A0~A11,
BA0,BA1
DM0~DM3
DQ面膜能在写周期。
DQ0~DQ31
RAS
CAS
WE
CLK , CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
V
REF
时钟输入
时钟使能
芯片选择
电源电压为GDQ
地面DQ
参考电压为SSTL
V
SS
V
DD
DQS0~DQS3
(为FBGA )
的DQ
(对于LQFP )
NC
无连接
-
-
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年7月
修订: 2.3
3/50