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    M12S64164A-6BG 参数 Datasheet PDF下载

    M12S64164A-6BG图片预览
    型号： M12S64164A-6BG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 1058 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M12S64164A-6BG的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    AC运行试验条件
    （ VDD = 2.5V
    ±
    0.2V
    ，T
    A
    = 0至70
    °
    C )
    参数
    输入电平（ VIH / VIL）
    输入定时测量参考电平
    输入上升和下降时间
    输出定时测量参考电平
    输出负载条件
    价值
    0.9*V
    DDQ
    /0.2
    0.5*V
    DDQ
    TR / TF = 1/1
    0.5*V
    DDQ
    SEE图。 2
    M12S64164A
    单位
    V
    V
    ns
    V
    （图1 ）直流输出负载电路
    （图2 ） AC输出负载电路
    经营AC参数
    （交流工作条件，除非另有说明）
    参数
    行有效至行主动延迟
    RAS到CAS延迟
    行预充电时间
    行活动时间
    @工作
    行周期时间
    @自动刷新
    最终数据以山坳。地址的延迟
    在过去的数据来行预充电
    在最后的数据以突发停止
    上校地址上校地址的延迟
    有效数
    输出数据
    符号
    t
    RRD
    （分钟）
    t
    RCD
    （分钟）
    t
    RP
    （分钟）
    t
    RAS
    （分钟）
    t
    RAS
    （最大）
    t
    RC
    （分钟）
    t
    RFC
    （分钟）
    t
    CDL
    （分钟）
    t
    RDL
    （分钟）
    t
    BDL
    （分钟）
    t
    CCD
    （分钟）
    CAS延时= 3
    CAS延时= 2
    58
    60
    VERSION
    -6
    12
    18
    18
    40
    -7
    14
    20
    20
    42
    100
    63
    70
    1
    2
    1
    1
    2
    1
    90
    100
    -10
    20
    30
    30
    60
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    us
    ns
    ns
    CLK
    CLK
    CLK
    CLK
    ea
    1
    1,5
    2
    2
    2
    3
    4
    记
    1
    1
    1
    1
    注：1个时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间，然后需要的最短时间来确定
    四舍五入到下一个较大整数。
    2.最小的延迟，需要完成与。
    3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
    4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
    5.新的命令，可给予吨
    RFC
    后自刷新退出。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2009年4月
    修订： 1.2
    5/45

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