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M12S64164A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M12S64164A
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内容描述: 1M ×16位×4银行同步DRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 1058 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC特性
(交流操作条件,除非另有说明)
Paramater
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CLK为有效
输出延迟
输出数据
保持时间
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
注意:
CAS延时= 3
t
SHZ
CAS延时= 2
6
6
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SAC
2.5
2.5
2.5
2.5
1.5
1
0
5.5
符号
-6
6
10
5.5
6
2.5
2.5
2.5
2.5
1.5
1
0
6
最大
1000
7
10
6
6
2.5
2.5
3
3
2.5
1.5
0
-7
最大
1000
10
12
-10
M12S64164A
最大
1000
7
8
单位
CLK周期时间
t
CC
ns
1
ns
1,2
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
ns
8
2
3
3
3
3
2
-
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间小于1ns的时间更长。 ( TR / 2 - 0.5 ) NS应予以考虑。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的。短暂的时间补偿应该考虑。
即, [ (文+ TF )/ 2 - 1]纳秒应该被添加到该参数。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年4月
修订: 1.2
6/45