ESMT
简化的真值表
M12S16161A
工作温度条件-40 ° C〜 85°C
注册
刷新
命令
模式寄存器设置
自动刷新
条目
自刷新
出口
CKEN - 1 CKEN CS
H
X
L
H
H
L
L
L
H
H
H
X
X
L
H
L
L
RAS
L
L
H
X
L
H
CAS
L
L
H
X
H
L
WE
L
H
H
X
H
H
DQM BA A10 / AP A9 〜 A0注
X
操作码
1,2
3
X
X
3
X
X
X
V
V
X
行地址
COLUMN
L
H
3
3
4
银行主动&行地址。
自动预充电禁用
阅读&
列地址
写&列
地址
突发停止
预充电
时钟暂停或
主动关机
预充电掉电模式
银行的选择
两家银行
条目
出口
条目
出口
DQM
没有操作命令
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
H
H
H
H
L
H
L
H
H
H
X
X
X
L
H
L
H
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
X
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
H
X
X
X
X
X
X
V
L
H
X
L
H
X
地址
(A0~A7)
4,5
COLUMN
4
地址
4,5
(A0~A7)
V
X
X
6
4
4
X
X
V
X
X
X
7
X
（V =有效， X =无所谓，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意：
1. OP代码：操作码
A0 〜 A10 / AP ， BA ：程序键（ @ MRS） 。
2.
3.
刘健只能在两家银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后，刘健的2个时钟周期发出。
自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在两家银行闲置状态发出自动/自刷新。
4.
BA ：银行选择地址。
如果“低” ：在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果“高” ：在读，写，行积极和预充电，银行B的选择。
如果A10 / AP是“高”的行预充电， BA忽略，两家银行被选中。
5.在突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样的一个CLK的掩模的数据中在非常CLK的正边沿（写入DQM延迟是0 ），但
品牌
Hi-Z状态数据输出2 CLK周期后。 （读DQM延迟2 ）
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年9月
调整
:
1.0
9/30
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
