ESMT
DQ0 〜 15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
N.C / RFU
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接/
留作将来使用
M12S16161A
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲隔离电源和接地，以提供改进的
抗干扰能力。
该引脚建议留在设备上的连接。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ + 150
0.7
50
单位
V
V
°
C
W
MA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0
°C
~ 70
°C
)
参数
电源电压
符号
V
DD
V
DDQ
民
2.3
2.3
典型值
2.5
2.5
最大
2.7
2.7
单位
V
V
记
1.65
-
2.7
V
1
输入逻辑高电压
V
IH
0.8× V
DDQ
-
V
DDQ
+0.3
V
1
输入逻辑低电压
V
IL
-0.3
0
0.3
V
2
输出逻辑高电平
V
OH
V
DDQ
– 0.2
-
-
V
I
OH
=-0.1mA
输出逻辑低电压
V
OL
-
-
0.2
V
I
OL
= 0.1毫安
输入漏电流
I
IL
-10
-
10
uA
3
输出漏电流
I
OL
-10
-
10
uA
4
注意：
1. ESMT可支持2.5V VDDQ （一般情况下）和1.8V （在特定情况下）为VDD 2.5V的产品。请联系
销售。部condisering FO VDDQ 1.8V （ 1.65V分钟），使用的时候。
2.V
IH
（ MAX）= 4.6V AC脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
3.V
IL
（分钟） = -1.0V交流脉冲宽度
≤
为3ns可以接受的。
4.Any输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
5.Dout被禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
.
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25
°C
， F = 1MHz的）
针
时钟
RAS ， CAS ，
WE
， CS ， CKE ， LDQM ，
UDQM
地址
DQ0 〜 DQ15
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
-
-
-
-
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2005年6月
调整
:
1.0
3/28
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
