ESMT
电容
(V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25
° C，F = 1MHZ ）
参数
输入电容（ A0 〜 A11 ， BA0 〜 BA1 ）
输入电容
（ CLK ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
& DQM ）
数据输入/输出电容（ DQ0 〜 DQ31 ）
符号
CIN1
CIN2
COUT
民
2
2
2
M12S128324A
最大
4
4
5
单位
pF
pF
pF
DC特性
推荐的操作条件，除非另有说明，T
A
= 0至70℃
测试条件
突发长度= 1
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
I
CC2NS
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
t
RC
≥
t
RC （分钟）
I
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值） ，TCC寄存器= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
cc
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
cc
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
cc
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≤
V
IL
（最大值） ，TCC寄存器= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
cc
=
∞
CKE
≥
VIH （MIN） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ， TCC = 15ns的
输入信号中2clks一次改变
所有其他引脚
≥
V
DD
-0.2V或
≤
0.2V
I
CC3NS
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值） ， TCC =
∞
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安
第一阵
2银行激活
t
CK
= t
CK （分钟）
t
RC
≥
t
RC （分钟）
CKE
≤
0.2V
10
mA
110
0.8
mA
0.6
25
mA
7
3
3
30
mA
mA
90
mA
1,2
VERSION
-6
-7
单位
记
参数
符号
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
预充电待机电流
在非掉电模式
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
注意：
I
CC4
180
160
mA
1,2
I
CC5
I
CC6
180
2
160
mA
mA
1.测量与产出开放。地址吨过程中改变只有一次
CC（分钟）
.
2.刷新周期是64毫秒。最多8个连续自动刷新命令（与tRFCmin ）可以提出来
任何给定的SDRAM ，以及任何自动REFRSH命令和下一自动之间的最大绝对内部
REFRESH命令8x15.6μm 。地址吨过程中改变只有一次
CC（分钟）
.
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年3月
修订： 1.4
5/46
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
