ESMT
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
自
刷新
条目
出口
CKEn-1
H
H
CKEN
X
H
L
H
X
X
CS RAS CAS
L
L
L
H
L
L
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
WE
M12L64322A
工作温度条件-40
°
C ~ 85
°
C
DQM BA0,1 A10 / AP
X
X
X
X
X
X
V
V
操作码
X
A9~A0
记
1,2
3
3
3
3
L
H
H
X
H
H
L
H
H
X
行地址
L
H
L
H
X
V
X
L
H
X
COLUMN
地址
(A0~A7)
COLUMN
地址
(A0~A7)
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
4
4,5
4
4,5
6
H
H
H
X
X
X
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
V
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
无操作指令
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
V
X
X
7
L
H
H
H
X
H
L
X
H
X
H
X
H
X
（V =有效，X =无关。 H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意：
1.OP代码：操作码
A0 〜 A10 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @太太）
2.MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
没有命令行预充电的预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4.BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA1和BA0在读“低” ，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA1为“低”和BA0为“高” ，在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
晶豪科科技有限公司
出版日期：三月2007年
调整
:
1.2
8/46
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