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M12L64164A-6BG2C 参数 Datasheet PDF下载

M12L64164A-6BG2C图片预览
型号: M12L64164A-6BG2C
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内容描述: [Synchronous DRAM, 4MX16, CMOS, PBGA54, VBGA-54]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 1260 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
DC特性
推荐的工作条件,除非另有说明
参数
工作电流
(一银行活动)
符号
测试条件
突发长度= 1 ,T
RC
t
RC
(分钟) ,我
OL
= 0 mA时,
t
CC
= t
CC
(分钟)
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
= t
CC
(分钟)
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CC
= t
CC
(分钟)
输入信号2CLK在一个时间变
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
输入信号是稳定的
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
= t
CC
(分钟)
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CC
=15ns
主动待机电流
在非掉电模式
(一银行活动)
I
CC3N
I
CC3NS
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
注意:
I
CC4
I
CC5
I
CC6
输入信号中2clks一次改变
所有其他引脚
V
DD
-0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
输入信号是稳定的
I
OL
= 0毫安,页突发,所有银行主动
突发长度= 4 , CAS延时= 3
t
RFC
t
RFC
(分钟) ,T
CC
= t
CC
(分钟)
CKE
0.2V
M12L64164A ( 2Y )
VERSION
-5
60
-6
50
2
1
20
-7
40
单位
I
CC1
mA
1,2
I
CC2P
预充电待机电流
在掉电模式
I
CC2PS
I
CC2N
预充电待机电流
在非掉电模式
主动待机电流
在掉电模式
I
CC2NS
I
CC3P
I
CC3PS
mA
mA
10
8
8
mA
30
mA
25
80
65
70
55
1
60
45
mA
mA
mA
mA
1,2
1.测量与产出开放。
2.输入信号在2 CLKS一次改变。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2012年5月
修订: 1.1
4/45