ESMT
简化的真值表
命令
注册
刷新
模式寄存器设置
自动刷新
条目
自
刷新
出口
CKEN - 1 CKEN
H
H
L
H
H
X
H
L
H
X
X
CS RAS CAS
L
L
L
H
L
L
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
WE
M12L64164A （ 2Y ）
DQM
X
X
X
X
X
X
BA0
A11,
A10/AP
BA1
A9~A0
操作码
X
X
V
V
行地址
COLUMN
L
地址
H
(A0~A7)
COLUMN
L
地址
H
(A0~A7)
X
V
X
L
H
X
记
1,2
3
3
3
3
4
4,5
4
4,5
6
L
H
H
X
H
H
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
无操作指令
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
H
H
H
X
X
X
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
H
H
L
X
H
X
X
H
X
H
X
X
H
L
H
H
X
H
X
X
H
X
H
X
H
L
L
L
X
H
X
X
H
X
H
X
H
X
X
X
V
时钟暂停或
主动掉电模式
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
7
L
H
H
H
X
注意：
（V =有效，X =无关。 H =逻辑高电平， L =逻辑低）
1.OP代码：操作码
A0 〜 A11 & BA0 ， BA1 ：程序键。 （ @太太）
2.MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
没有命令行预充电的预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在所有银行闲置状态，发出自动/自刷新。
4.BA0 ， BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是在读“低” ，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA0为“低”和BA1是“高” ，在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果两个BA0为“高”和BA1是“低” ，在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是“高” ，在读，写，行积极和预充电，银行选择D
如果A10 / AP是“高”的行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
5.During突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
6.Burst停止命令是在每一个突发长度有效。
7.DQM取样的一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿（写入DQM延迟是0 ），但
使得Hi-Z状态数据输出2 CLK周期后（读DQM延迟2 ）
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2012年5月
修订： 1.1
7/45
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
