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    M12L32162A_0712 参数 Datasheet PDF下载

    M12L32162A_0712图片预览
    型号： M12L32162A_0712
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1米x 16Bit的X 2Banks同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 28 页 / 688 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M12L32162A_0712的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    SDRAM
    M12L32162A
    工作温度条件-40 ° C〜 105℃
    1米x 16Bit的X 2Banks
    同步DRAM
    特点
    JEDEC标准的3.3V电源
    LVTTL与复用地址兼容
    双银行操作
    MRS周期与解决关键程序
    -
    CAS延迟（ 1 ， 2 & 3 ）
    -
    突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
    -
    突发类型（顺序&交错）
    所有的输入进行采样的正边沿
    系统时钟
    突发读取单位写操作
    DQM用于屏蔽
    自动刷新（不支持自刷新）
    16ms的刷新周期（ 4K周期）
    概述
    该M12L32162A是33554432位同步高速数据
    率动态RAM组织为2× 1,048,576字16
    位，制造高性能CMOS技术。
    同步设计允许通过使用精确的周期控制
    系统时钟的I / O事务处理可在每时钟
    周期。工作频率范围，可编程突发
    长度和可编程延迟允许在同一个设备到
    针对各种不同的高带宽，高性能有用
    存储器系统的应用程序。
    订购信息
    产品型号
    M12L32162A-7TVG
    M12L32162A-7BVG
    最大频率。
    143MHz
    143MHz
    包装评论
    54针
    TSOP （II）的
    54球BGA
    无铅
    无铅
    引脚配置（顶视图）
    54脚TSOP （ II ）
    V
    DD
    DQ0
    V
    DDQ
    DQ1
    DQ2
    V
    SSQ
    DQ3
    DQ4
    V
    DDQ
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    DQ7
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    WE
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    / AP
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    ð DQ
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    V
    ð DQ
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    A
    5
    A
    4
    V
    SS
    54球FVBGA （ 8mmx8mm ）
    1
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    V
    SS
    DQ14
    DQ12
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    3
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    DD
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    CKE
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    CAS
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    A9
    RAS
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    NC
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    V
    SS
    A7
    A5
    A6
    A4
    A1
    A2
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2007年12月
    调整
    :
    1.2
    2/28

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