M12L2561616A-6TG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M12L2561616A-6TG
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内容描述：	4M ×16位×4银行同步DRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	45 页 / 918 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

ESMT

DC特性

推荐的操作条件，除非另有说明，T

= 0至70

参数

工作电流

（一银行活动）

预充电待机电流

在掉电模式

符号

CC1

CC2P

CC2PS

CC2N

CC2NS

主动待机电流

在掉电模式

CC3P

CC3PS

CC3N

测试条件

CAS

潜伏期

M12L2561616A

VERSION

-6

170

-7

150

单位

记

1,2

突发长度= 2 ，T

= t

RC （分钟）

, I

= 0毫安

CKE = V

（最大值），TCC寄存器= 10ns的

CKE & CLK≤V

（最大值），叔

∞

CKE = V

IH（分钟）

， CS = V

IH（分钟）

, t

= 10ns的

输入信号被2吨在一个时间变

CKE = V

IH（分钟）

， CLK≤V

（最大值）， TCC =

∞

输入信号是稳定的

CKE = V

（最大值），叔

=10ns

CKE & CLK≤V

（最大值），叔

∞

CKE

≥

（分钟）， CS

≥

IH（分钟）

, t

= 15ns的

输入信号中2clks一次改变

所有其他引脚

≥

-0.2V或

≤

0.2V

CKE = V

IH（分钟）

， CLK≤V

（最大值），叔

∞

输入信号是稳定的

= 0毫安，页突发， 4银行启动，

CCD

= 2脉冲CLKs

RFC

≥

RFC （分钟）

CKE=0.2V

预充电待机电流

在非掉电模式

主动待机电流

在非掉电模式

（一银行活动）

工作电流

（突发模式）

刷新当前

自刷新电流

注意：

CC3NS

CC4

CC5

CC6

210

180

1,2

1.测量与产出开放。

2.输入信号在2 CLKS一次改变。

晶豪科科技有限公司

出版日期： 2008年6月

修订： 1.4

4/45

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