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    M12L2561616A-6BIG 参数 Datasheet PDF下载

    M12L2561616A-6BIG图片预览
    型号： M12L2561616A-6BIG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M ×16位×4银行同步DRAM [4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器
    文件页数/大小： 45 页 / 921 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M12L2561616A-6BIG的Datasheet PDF文件第12页  
    ESMT
    模式寄存器字段表，程序模式
    寄存器编程与MRS
    地址
    功能
    BA0~BA1
    俄罗斯足协
    A12~A10/AP
    俄罗斯足协
    A9
    W.B.L.
    A8
    TM
    A7
    A6
    A5
    A4
    M12L2561616A
    工作温度条件-40〜 85°C
    A3
    BT
    A2
    A1
    A0
    CAS延迟
    突发长度
    测试模式
    A8
    0
    0
    1
    1
    A7
    0
    1
    0
    1
    TYPE
    模式寄存器设置
    版权所有
    版权所有
    版权所有
    A6
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    CAS延迟
    A5
    0
    0
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    A4
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    潜伏期
    版权所有
    版权所有
    2
    3
    版权所有
    版权所有
    版权所有
    版权所有
    突发类型
    A3
    0
    1
    TYPE
    顺序
    交错
    A2
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    A1
    0
    0
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    突发长度
    A0
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    BT = 0
    1
    2
    4
    8
    BT = 1
    1
    2
    4
    8
    保留保留
    保留保留
    保留保留
    全页版权所有
    全页长： 512
    上电顺序
    1.适用电源并启动时钟，试图维持CKE = “ H” ， DQM = “H ”，另一针是NOP条件的投入。
    2.保持稳定的功率，稳定的时钟和NOP指令的输入条件为至少200us的。
    3.发出预充电命令的设备的所有银行。
    4.第2期以上的自动刷新命令。
    5.发行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
    4 & 5比照）序列是不分先后顺序。
    该设备现在可以正常运行。
    注意：
    1. RFU （保留供将来使用）应保持为“0”时MRS循环。
    2.如果A9是在MRS周期高， “突发读取单一写”功能将被启用。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2008年5月
    修订： 1.2
    8/45

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