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M12L16161A-8T 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A-8T图片预览
型号: M12L16161A-8T
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内容描述: 512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 27 页 / 568 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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M12L16161A
功能框图
I / O控制
BANK SELECT
数据输入寄存器
LWE
LDQM
行缓冲区
刷新计数器
行解码器
输出缓冲器
512K ×16
512K ×16
SENSE AMP
地址寄存器
LRAS
CLK
CKE
DQI
CLK
添加
LCBR
上校缓冲区
LRAS
列解码器
延迟&突发长度
编程注册
LCKE
LCBR
LWE
LCAS
LWCBR
LDQM
注册时间
CS
RAS
CAS
WE
L( U) DQM
引脚功能说明
CLK
CS
CKE
A0 〜 A10 / AP
BA
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和L ( U) DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA10 ,列地址: CA0 〜 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存行地址与RAS在CLK的正边沿
低。
让行存取&预充电。
锁存的列地址,在CLK的与正向边沿
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻,
t
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时, L( U) DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
RAS
CAS
列地址选通
WE
L( U) DQM
DQ
0 ~ 15
V
DD
/V
SS
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
晶豪科科技有限公司
P.2
出版日期: 2000年1月
修订: 1.3u