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M12L128324A-6TIG 参数 Datasheet PDF下载

M12L128324A-6TIG图片预览
型号: M12L128324A-6TIG
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内容描述: 1M ×32位×4银行同步DRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 49 页 / 793 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
电容
(V
DD
= 3.3V ,T
A
= 25
° C,F = 1MHZ )
参数
输入电容( A0 〜 A10 , BA0 〜 BA1 )
输入电容
( CLK , CKE , CS , RAS , CAS ,
WE
& DQM )
数据输入/输出电容( DQ0 〜 DQ31 )
符号
CIN1
CIN2
COUT
2
2
2
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
最大
4
4
5
单位
pF
pF
pF
DC特性
推荐的操作条件,除非另有说明,T
A
= -40〜 85 ℃下
CAS
潜伏期
VERSION
-6
160
3
1
30
mA
9
7
6
40
15
mA
mA
mA
-7
140
单位
参数
工作电流
(一银行活动)
预充电待机电流
在掉电模式
符号
测试条件
突发长度= 1
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
I
CC2NS
t
RC
t
RC (分钟)
I
OL
= 0毫安
CKE
V
IL
(最大值) ,TCC寄存器= 10ns的
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
cc
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
cc
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
cc
=
输入信号是稳定的
CKE
V
IL
(最大值) ,TCC寄存器= 10ns的
CKE & CLK
V
IL
(最大值),叔
cc
=
CKE
VIH (MIN) , CS
V
IH
(分钟) , TCC = 15ns的
输入信号时为30ns一次改变
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值) , TCC =
输入信号是稳定的
IOL = 0毫安
第一阵
2银行激活
t
CK
= t
CK (分钟)
t
RC
t
RC (分钟)
CKE
0.2V
mA
1,2
mA
预充电待机电流
在非掉电模式
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电模式
(一银行活动)
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
I
CC3NS
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
注意:
I
CC4
270
240
mA
mA
mA
1,2
I
CC5
I
CC6
270
2
240
1.测量与产出开放。
2.输入信号在2 CLKS一次改变。
晶豪科科技有限公司
出版日期:二月2006年
修订: 1.1
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