ESMT
VERSION
参数
上校地址上校地址的延迟
有效数
输出数据
符号
-6
t
的CCD （分钟）
1
2
1
0
-7
CLK
ea
单位
M12L128324A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
记
3
4
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
注：1个时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间，然后需要的最短时间来确定
四舍五入到下一个较大整数。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
5.新的命令，可给予吨
RFC
后自刷新退出。
6，最多八个连续自动刷新命令（与T
RFCMIN
）可以发布到任何给定的SDRAM ，以及
最大绝对内部的任何自动刷新命令和下一个自动刷新命令之间是8x15.6
μs.
AC特性
（交流操作条件，除非另有说明）
-6
参数
CAS延时= 3
CLK周期时间
CAS延时= 2
CAS延时= 1
CLK为有效
输出延迟
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
OH
t
SAC
t
CC
符号
民
6
10
20
-
-
-
2
2
2
2
2
2
1
1
-
t
SHZ
-
-
5.5
6
17
-
-
-
-
-
-
-
-
5.5
6
17
1000
最大
民
7
8.6
20
-
-
-
2
2
2
2.5
2.5
2
1
1
-
-
-
6
6
18
-
-
-
-
-
-
-
-
6
6
18
ns
-
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
3
3
2
ns
2
ns
1,2
1000
ns
1
最大
-7
单位
记
输出数据
保持时间
CLK高pulsh宽度
CLK低pulsh宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
注意：
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 1
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间小于1ns的时间更长。 （ TR / 2 - 0.5 ） NS应予以考虑。
3.假设输入的上升和下降时间（tr & TF） = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的。短暂的时间补偿应该考虑。
即， [ （文+ TF ）/ 2 - 1]纳秒应该被添加到该参数。
晶豪科科技有限公司
出版日期：二月2006年
修订： 1.1
8/49
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
