ESMT
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意：
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
TSTG
PD
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
M12L128168A
单位
V
V
°
C
W
mA
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0至70
°
C )
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
注意：
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
5
5
单位
V
V
V
V
V
μ
A
记
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
4
μ
A
1. V
IH
（ MAX）= 4.6V AC脉冲宽度
≤
10ns的接受。
2. V
IL （ MIN ）
= -1.5V交流脉冲宽度
≤
10ns的接受。
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DD.
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25
°
C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 〜 A11 ， BA0 〜 BA1 ）
输入电容
（ CLK ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
WE
& L（ U） DQM ）
数据输入/输出电容（ DQ0 〜 DQ15 ）
C
OUT
2
6.5
pF
符号
C
IN1
C
IN2
民
2.5
2.5
最大
4
4
单位
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年3月
修订： 2.3
3/45
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
