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简化的真值表
命令
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刷新
模式寄存器设置
自动刷新
条目
自
刷新
出口
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
无操作指令
L
H
H
X
H
L
H
CKEn-1
H
H
L
H
H
CKEN
X
H
L
H
X
X
CS RAS CAS
L
L
L
H
L
L
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
WE
M12L128168A
工作温度条件-40
°
C ~85
°
C
DQM
X
X
X
X
X
X
L
H
H
X
H
H
A13
A11
A10/AP
A12
A9~A0
操作码
X
X
V
V
行地址
COLUMN
L
地址
H
(A0~A8)
COLUMN
L
地址
H
(A0~A8)
X
L
H
X
记
1,2
3
3
3
3
4
4,5
4
4,5
6
H
H
H
X
X
X
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
X
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
H
X
X
X
V
突发停止
预充电
V
X
时钟暂停或
主动关机
H
L
H
L
H
L
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
7
（V =有效，X =无关。 H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意：
1.OP代码：操作码
A0 〜 A11 & A13 〜 A12 ：程序键。 （ @太太）
2.MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
没有命令行预充电的预充电自然而然由“自动”的意思。
只能在所有银行闲置状态，发出自动/自刷新。
4.A13 〜 A12 ：银行选择地址。
如果A13和A12都在读“低” ，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果A13为“低”和A12为“高” ，在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果A13为“高”和A12是在读“低” ，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果A13和A12是“高” ，在读，写，行积极和预充电，银行选择D
如果A10 / AP是“高”的行预充电， A13和A12被忽略，所有的银行都被选中。
5.During突发读取或者自动预充电写。新的读/写命令不能发出。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.Burst停止命令是在每一个突发长度有效。
7.DQM取样的一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿（写入DQM延迟是0 ），但
使得Hi-Z状态数据输出2 CLK周期后（读DQM延迟2 ）
晶豪科科技有限公司
出版日期：十月2007年
修订： 1.2
7/43
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