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M12L128168A-6TG 参数 Datasheet PDF下载

M12L128168A-6TG图片预览
型号: M12L128168A-6TG
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内容描述: 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 43 页 / 786 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
SDRAM
M12L128168A
2M ×16位×4银行
同步DRAM
订购信息
54引脚TSOP ( II型)
( 400mil X 875mil )
产品编号
M12L128168A-5TG
M12L128168A-6TG
M12L128168A-7TG
最大频率。包装
评论
200MHz
166MHz
143MHz
TSOP II
TSOP II
TSOP II
无铅
无铅
无铅
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 突发类型(顺序及放大器;交错)
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单一写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期( 4K周期)
概述
该M12L128168A是134217728位同步的高数据速率动态随机存储器组织成4× 2,097,152字×16位。
同步设计允许在每个时钟周期中使用系统时钟的I / O事务处理可精确的周期控制。
的工作频率范围,可编程脉冲串长度和可编程延迟允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能存储系统的应用程序。
管脚配置
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
S SQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
S SQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A
13
A
12
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
S SQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
S SQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2006年10月
修订: 2.0
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