EliteMT
电容
（ TA = 25
°
C，V
CC
= 5V
±
10%)
参数
符号
典型值
最大
M11B416256A
单位
输入电容（地址）
输入电容（
RAS
,
现金
,
CASL
我们，
OE
)
输出电容（ I / O0〜I / O15 ）
C
I1
C
I2
C
I / O
-
-
-
5
7
10
pF
pF
pF
AC电气特性
（ TA = 0 〜70
°
C，V
CC
=5V
±
10%, V
SS
= 0V ）（注14 ）
测试条件
输入时序参考电平： 0V ， 3V
输出参考电平： V
OL
= 0.8V, V
OH
=2.0V
输出负载： 2TTL门+ CL （ 50pF的）
采取的T
T
= 2ns的
参数
读或写周期时间
读写周期时间
EDO -页面模式读取或写入周期时间
EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
访问时间从
OE
从列地址访问时间
访问时间从
CAS
预充电
符号
-25
-28
-30
-35
-40
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位注
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PCM
t
RAC
t
CAC
t
OAC
t
AA
t
ACP
t
RAS
t
RASC
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CSH
t
CP
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
拉德
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
拉尔
43
65
10
32
25
8
8
12
14
25
10K
48
70
11
35
28
9
9
15
17
28
10K
55
85
12
37
30
9
9
15
17
30
10K
65
95
14
42
35
10
10
18
20
35
10K
75
105
16
47
40
11
11
20
22
40
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
22
22
4
5,20
13,20
RAS
脉冲宽度
RAS
脉冲宽度（ EDO页面模式）
RAS
保持时间
RAS
预充电时间
CAS
脉冲宽度
CAS
保持时间
CAS
预充电时间
RAS
to
CAS
延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
25 100K 100K 28 30 35 10万10万10万40纳秒
8
15
4
21
4
10
5
0
5
8
0
5
22
12
13
17
10K
9
17
5
24
4
10
5
0
5
8
0
5
24
15
13
19
10K
9
20
5
26
4
10
5
0
5
8
0
5
26
15
15
21
10K
10
25
5
30
5
10
5
0
5
8
0
5
30
18
17
25
10K
11
30
6
35
5
10
5
0
5
8
0
5
34
20
20
29
10K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
18
18
24
19
6,23
7,18
19
25
RAS
到列地址的延迟时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间（参考
RAS
)
列地址为
RAS
交货时间
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
4/15
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
