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M11B416256A-30T 参数 Datasheet PDF下载

M11B416256A-30T图片预览
型号: M11B416256A-30T
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 375 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT
READ WRITE周期
(后写入和读 - 修改 - 写周期)
t
RWC
t
RAS
RAS
V
IH
V
IL
M11B416256A
t
RP
t
CSH
t
RS ħ
t
CAS
t
CRP
CASL , CASH
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CLCH
t
ASR
ADDR
V
IH
V
IL
ROW
t
AR
t
拉德
t
RAH
t
ASC
COLUMN
t
拉尔
t
CAH
ROW
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V
IH
V
IL
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RWD
t
CWD
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t
CWL
t
RWL
t
WP
WE
t
AA
t
RAC
t
CAC
t
CLZ
I / O
V
I / O ^ h
V
I / 0 1
开放
VAL ID ð
Ø UT
t
DS
t
DH
VALI D D
IN
t
Ø交流
OE
V
IH
V
IL
t
2关
t
OEH
EDO -PAGE -MODE读周期
t
RASC
RAS
V
IH
V
IL
t
RP
t
CRP
CASL ,C为h
V
IH
V
IL
t
CSH
t
RCD
t
CAS ,
t
CLCH
t
PC
(NOTE2)
t
CAS ,
t
CLCH
t
CP
t
CP
t
RSH
t
CAS ,
t
CLCH
t
CP
t
AR
t
拉德
t
ASR
t
RAH
ADDR
V
IH
V
IL
ROW
t
拉尔
t
为C
t
CAH
COLUMN
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
ROW
COLUMN
COLUMN
t
RCS
WE
V
IH
V
IL
t
RCH
t
RRH
t
AA
t
RAC
t
CAC
t
CLZ
I / O
V
Ø ħ
V
0 1
开放
t
AA
t
ACP
t
CAC
t
COH
VAL ID ð ATA
有效
数据
t
AA
t
ACP
t
CAC
t
CLZ
t
OEHC
t
Ø交流
t
2关
t
OES
t
OEP
VAL ID ð ATA
NO TE1
t
OFF1
开放
t
Ø交流
t
OES
t
2关
OE
V
IH
V
IL
不关心
未定义
*注: 1。吨
OFF1
从上升沿引用
RAS
or
CAS
,以先到为准过去。
2.
t
PC
可以从下降沿测量
CAS
到的下降沿
CAS
或从上升沿
CAS
上升
边缘
CAS
。这两种测量必须符合吨
PC
特定连接的阳离子。
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
9/15