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M11B416256A-25T 参数 Datasheet PDF下载

M11B416256A-25T图片预览
型号: M11B416256A-25T
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内容描述: 256千×16 EDO DRAM页模式 [256 K x 16 DRAM EDO PAGE MODE]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 375 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EliteMT
绝对最大额定值
任何引脚相对于VSS的电压... ...... -1V至+ 7V
工作温度,T
A
(环境) ... 0.0
°
C至+70
°
C
存储温度(塑料) ......... 。 , 55
°
C至+150
°
C
功耗....................................... 1.43W
短路输出电流........................ 50毫安
M11B416256A
如果“绝对永久性设备损坏,可能会出现
最大额定值“被超过。这是一个压力等级
以上这些设备只和功能的操作
在这个业务部门所标明的条件
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
直流电气特性与推荐
工作条件
(0
°
C
T
A
70
°
℃; V
CC
= 5V
±
10%除非另有说明)
参数
条件
符号
最大
单位备注
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注: 1,所有电压参考V
SS
0V
V
IN
V
IH
(最大)
0V
V
OUT
V
CC
输出(S )禁用
I
OH
= -5毫安
I
OL
= 4.2毫安
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
4.5
0
2.4
-0.3
-10
-10
2.4
-
5.5
0
V
CC
+0.3
0.8
10
10
-
0.4
V
V
V
V
µ
A
µ
A
1
1
1
V
V
参数
条件
RAS
,
CAS
骑自行车,T
RC
=分钟
符号
最大
-25
-28
-30 -35 -40
单位备注
工作电流
待机电流
RAS
只刷新当前
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
210 190 170 150 135
4
2
4
2
4
2
4
2
4
2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1,2
TTL接口,
RAS
,
CAS
= V
IH
,
D
OUT
=高阻
CMOS接口,
RAS
,
CAS
V
CC
-0.2V
t
RC
=分钟
t
PC
=分钟
RAS
=V
IH
,
CAS
= V
IL
210 190 170 150 135
210 190 170 150 135
5
5
5
5
5
2
1,3
1
EDO页面模式电流
待机电流
CAS
RAS
刷新
当前
t
RC
=分钟
210 190 170 150 135
:
1. ICC最大指定在输出开路状态。
2.地址是可以改变的两次或更小,而
RAS
=V
IL 。
3.地址可以一次或更少,而改变
CAS
=V
IH
.
精英存储科技有限公司
出版日期
:
2004年2月
调整
:
1.9
3/15