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F49L800UA_1 参数 Datasheet PDF下载

F49L800UA_1图片预览
型号: F49L800UA_1
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内容描述: 8兆位( 1M ×8 / 512K ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 47 页 / 468 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
描述
模式
CE
OE
WE
F49L800UA/F49L800BA
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
表4. F49L800UA / F49L800BA自动选择模式(高压法)
A18
to
A12
X
A11
to
A10
X
A9
A8
to
A7
X
A6
A5
to
A4
X
A3
L
L
H
H
X
A2
L
H
L
H
X
A1
A0
DQ8
to
DQ15
X
22H
X
字节
字节
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
SA
X
V
ID
X
L
X
X
X
H
L
X
X
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
X
X
L
X
X
X
L
H
22H
X
X
DAH
5BH
5BH
01H
(被保护)
00H
(无保护)
DQ7
to
DQ0
8CH
7FH
7FH
7FH
DAH
制造商ID :
ESMT
L
L
L
L
H
H
V
ID
L
L
L
设备ID :
F49L800UA
(上引导
块)
设备ID :
F49L800BA
(底部
引导块)
V
ID
扇形
保护
验证
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, SA =扇区地址,X =无关。
注意事项:
1.Manufacturer和设备代码也可以通过软件指令序列在表5中被访问。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年1月
修订: 1.2
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