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F49L800BA-90T 参数 Datasheet PDF下载

F49L800BA-90T图片预览
型号: F49L800BA-90T
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内容描述: 8兆位( 1M ×8 / 512K ×16 ) 3V只有CMOS闪存 [8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 47 页 / 416 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
描述
模式
CE
OE
WE
F49L800UA/F49L800BA
表4. F49L800UA / F49L800BA自动选择模式(高压法)
A18 A11
to
to
A12 A10 A9
A8
to
A7 A6
X
X
L
L
A5
to
A2
X
X
A1
L
L
A0
L
H
DQ8
to
DQ15
X
22H
X
X
X
V
ID
X
L
X
L
H
22H
X
SA
X
V
ID
X
L
X
H
L
X
X
DQ7
to
DQ0
7FH
DAH
DAH
5BH
5BH
01H
(被保护)
00H
(无保护)
制造商ID : ESMT
设备ID :
F49L800UA
(上引导块)
设备ID :
F49L800BA
(底部引导块)
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
V
ID
V
ID
字节
字节
扇区保护验证
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, SA =扇区地址,X =无关。
注意事项:
1.Manufacturer和设备代码也可以通过软件指令序列在表5中被访问。
晶豪科科技有限公司
出版日期:五月。 2007年
修订: 1.2
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