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    F49L400BA-90T 参数 Datasheet PDF下载

    F49L400BA-90T图片预览
    型号： F49L400BA-90T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ） 3V只有CMOS闪存 [4 Mbit (512K x 8/256K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 47 页 / 388 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第11页浏览型号F49L400BA-90T的Datasheet PDF文件第12页  
    EFST
    临时机构撤消模式
    此功能允许以前的临时解除保护
    受保护的部门改变系统的数据。此模式是
    通过将激活
    RESET
    引脚到V
    ID
    (11.5V-12.5V).
    在此模式下，所有以前受保护的行业是
    F49L400UA/F49L400BA
    未保护的，并且可以被编程或通过擦除
    选择所述扇区的地址。一旦V
    ID
    从删除
    该
    RESET
    销，所有以前受保护的行业是
    再次保护。
    开始
    RESET = V
    ID
    （注1 ）
    执行擦除或
    程序运行
    操作完成
    RESET = V
    I H
    临时机构
    撤消已完成
    （注2 ）
    注意事项：
    1.所有受保护的行业保护。
    2.所有先前保护部门都再次受到保护。
    精英闪存存储技术公司
    出版日期： 2006年9月
    修订： 1.1
    8/47

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