F49B002UA-70D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	F49B002UA-70D
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内容描述：	2兆位（ 256K ×8 ）只有5V CMOS闪存 [2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	33 页 / 488 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

EFST

读命令

该装置会自动设置为读取阵列数据

之后器件上电。没有命令要求

检索数据。该器件还准备读阵列

完成一个嵌入式程序后，数据或

嵌入式擦除算法。

看到“读操作”部分中的“阅读模式”

了解更多信息。请参见AC读操作表

9. &图5的时序图。

F49B002UA

该设备不要求系统进行预编程

在擦除之前。嵌入式擦除算法

自动preprograms并检验整个

前电存储器为全零的数据图案

抹去。

在写入到芯片的任何命令

嵌入式擦除算法被忽略。注意，以

芯片擦除操作过程中硬件复位

立即终止该操作。芯片擦除

命令序列应该重新开始曾经在

设备已返回读取阵列数据，以确保

数据的完整性。

该系统可确定擦除的状态

通过使用DQ7或DQ6的操作，请参阅“编程&

删除操作状态“一节以获取更多信息

这些状态位。

当嵌入式擦除算法完成后，

设备返回到读取阵列数据和地址

不再锁定。请参阅擦除/编程

操作表10,11中的“ AC特性”

参数。

程序命令

程序指令序列的程序一个字节

到器件中。编程是一个四总线周期

操作。该计划的命令序列启动

通过写入两个解锁写周期，随后是

程序设置命令。该项目地址和

接下来的数据被写入，这又引发

嵌入式程序算法。该系统是不

需要提供进一步的控制或定时。该

设备会自动提供内部产生

编程脉冲和验证的程序性细胞

利润率。

当嵌入式编程算法完成，

然后将设备返回读取阵列数据和

地址不再锁定。该系统可

通过使用确定的程序操作的状态

DQ7和DQ6 。见“写操作状态”一节

这些状态位的详细信息。

在写入设备的任何命令

嵌入式程序算法被忽略。该

程序指令序列应该重新开始一次

该设备已重新读取阵列数据，以确保

数据的完整性。

编程允许以任何顺序和跨

扇区边界。有点不能从“0 ”编程

返回到“1” 。尝试这样做可能会停止运行

或造成数据轮询算法来指示

手术很成功。然而，随后的读

将显示该数据仍然是“0”。只有擦除操作

可以转换为“0”到“1”。

扇区擦除命令

扇区擦除是六总线周期操作。部门

擦除命令序列被写两个启动

解锁循环，接着一个建立命令。两

解锁额外的写周期再其次是被

该扇区的地址被擦除，并且该扇区

擦除命令。

该设备不要求系统进行预编程

之前的记忆中抹去。嵌入式擦除

算法自动编程和校验

之前，电力部门对全零数据模式

抹去。该系统不要求提供任何

在这些操作控制或定时。

扇区擦除命令序列应该是

重新开始，一旦设备已经返回到读

阵列数据，以确保数据的完整性。

当嵌入式擦除算法完成后，

设备返回读取阵列数据和地址

不再锁定。该系统可确定该

擦除操作通过使用DQ7 ， DQ6状态

（请参阅“编程&擦除操作状态”

部分对这些状态位的更多信息。）

请参阅擦除/编程操作表10,11中

在“AC特性”一节的参数。

芯片擦除命令

芯片擦除是六总线周期操作。该芯片擦除

命令序列写入两个解锁启动

个循环，接着一个建立命令。两个额外的

解锁写周期再其次是芯片擦除被

命令，从而调用嵌入式擦除

算法。

精英闪存存储技术公司

出版日期： 2006年9月

修订： 1.4

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