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F49B002UA 参数 Datasheet PDF下载

F49B002UA图片预览
型号: F49B002UA
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 )只有5V CMOS闪存 [2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 33 页 / 488 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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EFST
自动选择命令
自动选择命令序列允许主机
系统访问的制造商,设备代码,
并确定一个扇区是否是受保护的。
表5示出了地址和数据的要求。这
方法是一种可以替代的是,表3中所示,这
适用于PROM编程人员和需要
F49B002UA
V
ID
在地址位A9 。
自动选择命令序列由启动
写入两个解锁周期,接着是自动选择
命令。然后,设备进入自动选择
模式,并且该系统可以读出在任意地址的任何
次数,而无需启动另一个命令
序列。地址为04H的读周期, 08H , 0CH ,
和00H检索EFST制造商ID 。读
周期在地址01H检索的设备ID。 。
7.3编程&擦除操作状态
该装置提供了几个位,以确定
编程&擦除操作的状态: DQ7 ,
DQ6 ,表6和下面的小节
描述这些位的功能。 DQ7和DQ6
每个用于确定是否一个提供一个方法
编程或擦除操作完成,或在
进展情况。
表6.写操作状态
手术
标准
模式
嵌入式程序算法
扇区擦除
嵌入式擦除算法
芯片擦除
DQ7
(Note1)
DQ
7
DQ6
切换
切换
切换
0
0
注意事项:
1.
DQ7需要一个有效的地址读取状态信息时。请参阅相应的小节进一步
详细信息。
DQ7 :数据查询
在编程操作期间, DQ7返回
补充编程值。期间
擦除操作中,一个“0”上产生DQ7的,与此
切换到“1”以下的操作。上
完成编程操作中,读
设备之后的最后的上升沿 - 六 -
写使能(
WE
)脉冲,返回值只是
上DQ7的编程( “0”) 。
If
OE
被置为低电平操作前
DQ7许多变化完成的价值和它可能
不表示正确的值。正确的值会
将在下一个读周期回报,该系统具有后
检测出的值已经从它的
补体的实际价值。
图14 :数据查询流程图相反说明
实际过程。相关的信号脉冲定时是
在图16中给出:数据轮询时序图。
DQ6 :切换位I
在编程和擦除操作,就切换位
在连续的总线之间的“0 ”和“1 ” DQ6切换
读取任意地址的尝试。这种切换可以
检测后写入的最后一个上升沿,使
___
( WE)脉冲擦除或编程命令
当操作序列和终止
完成。在编程的情况下,最后的写
使能脉冲是第四;两个扇区擦除和
芯片擦除命令,这是第六次。图15示出了
一个例子使用此功能。有关脉冲信号
时序给出图17 :翻转位时序
图。
精英闪存存储技术公司
出版日期: 2006年9月
修订: 1.4
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