ESMT
说明
（初步）
F25S04PA
指令用于读取，写入（擦除和编程） ，以及
配置F25S04PA 。指令总线周期是8位
对于每一个命令（操作码） ，数据和地址。之前
执行任何页面编程，写状态寄存器，扇区
擦除，块擦除或芯片擦除指令，写使能
（ WREN）指令必须首先执行。的完整列表
该指令是在表5中所有的指令都是提供
同步掀起了高CE低过渡。投入会
接纳在SCK的上升沿开始的最
显著位。 CE必须驱动为低电平的指令是前
输入的，并且必须被驱动为高电平的指令的最后一位后
已转移的（除了读取，读取ID ，读取状态
注册，阅读电子签名指令） 。任何由低到高
在过渡CE ，接收指令的最后一位之前
总线周期，将终止正在执行的指令，并返回
设备到待机模式。
指令命令（操作码） ，地址和数据都是
从最显著位（MSB）的第一输入端。
表5 ：设备操作说明
手术
读
快读
快读双
11,12
产量
扇区擦除
4
（ 4K字节）
块擦除
4,
（ 64K字节）
芯片擦除
页编程（
PP
)
读状态寄存器
(
RDSR
)
6
写状态寄存器
(
WRSR
)
写使能（
雷恩
)
9
写禁止（
WRDI
)
深度掉电（
DP
)
释放由深
关机（
RDP
)
电子阅读
7
签名（
水库
)
JEDEC读ID
(
JEDEC -ID
)
8
读取ID （
RDID
)
10
50
兆赫
~
总线周期
1~3
1
2
3
4
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
S
IN
33
兆赫
03H的Hi- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
X
0BH的Hi- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
X
马克斯。
频率
3BH
20H
D8H
60H /
C7H
02H
05H
01H
100
兆赫
06H
04H
B9h
ABH
ABH
9FH
90H
A
23
-A
16
A
15
-A
8
A
7
-A
0
-
-
-
D
IN0
-
-
-
-
-
-
X
-
X
X
HI- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
HI- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
高阻
-
-
-
-
-
-
5
S
OUT
D
OUT0
X
X
-
-
-
高阻
-
-
-
-
-
-
12H
-
8CH
12H
-
-
-
D
IN1
-
-
-
-
-
-
-
-
X
X
6
S
IN
X
X
S
OUT
D
OUT1
D
OUT0
-
-
-
高阻
-
-
-
-
-
-
-
-
12H
8CH
N
S
IN
S
OUT
X
X
-
-
-
续。
续。
-
-
-
D
OUT0~1
续。
HI- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
X
D
IN
-
-
-
-
X
X
00H
D
OUT
高阻
-
-
-
-
X
8CH
高阻
-
-
-
-
-
-
X
X
00H
-
-
-
-
-
-
X
20H
高阻
-
-.
-
-
-
-
X
X
00H
01H
-
-
-
-
-
-
X
13H
高阻
高阻
最多
256高阻
字节
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注意：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
操作：•
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出，总线周期1 =操作码
X =虚拟输入周期（V
IL
或V
IH
） ; - =不适用的周期数（周期数是不必要的） ;续。 =连续
一个总线周期为8个时钟周期。
行业EARSE地址：使用
MS
-A
12
，剩余的地址可以是V
IL
或V
IH
座EARSE地址：使用
MS
-A
16
，剩余的地址可以是V
IL
或V
IH
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令，随后是数据是
编程。
在读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
在读电子签名是连续的，要去时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
对符合JEDEC读ID是输出一个字节8CH为制造商ID ;第二个字节20H作为顶级内存类型;第三个字节为13H
内存容量。
写使能（ WREN ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须工作在每一起
等。 WRSR指令必须在WREN指令，以使双方之后（很下一个总线周期）执行
晶豪科科技有限公司
出版日期：
五月
2009
修改：
0.2
9/34
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
