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表2 ： F25S004A块保护表
防护等级
0
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
无
7座
块6 〜 7
块4 〜 7
块0 〜 7
块0 〜 7
块0 〜 7
块0 〜 7
F25S004A
地址范围
无
70000h 〜 7FFFFH
60000H - 7FFFFH
40000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位定义的大小
存储器区域，如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写（编程或擦除）操作。该
写状态寄存器（ WRSR ）指令用于编程
BP2 ， BP1 ， BP0只要位
WP
是高还是
块保护-看（ BPL ）位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位全部为0。上电后， BP2 ，
BP1和BP0被设置为1 。
块保护锁断（ BPL ）
WP
引脚驱动为低电平（V
IL
） ，使块保护
-lock -向下（ BPL ）位。当BPL被设置为1时，它可以防止任何
进一步改变的BPL ， BP2 ， BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平（V
IH
） ， BPL位没有任何作用，其
值是“不关心” 。上电后， BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年1月
修改：
1.1
5/33
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
