ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
标准,双核和四SPI
(初步)
F25L32QA
3V只有32兆位串行闪存
用双核和四
速度
- 读取最大频率: 33MHz的
- 快速阅读最大频率: 50MHz的/ 86MHz / 100MHz的
- 快速读取双核/四核最高频率: 50MHz的/ 100MHz的
(为100MHz / 172MHz / 200MHz的双等值SPI ;
为200MHz / 344MHz / 400MHz的相当于四SPI )
低功耗
- 工作电流: 35毫安
- 待机电流: 30
μ
A
- 深度掉电电流: 5
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间: 7
μ
S(典型值)
- 页编程时间: 1.5毫秒(典型值)
抹去
- 芯片擦除时间25秒(典型值)
- 块擦除时间为1秒(典型值)
- 扇区擦除时间90毫秒(典型值)
网页编程
- 每个可编程页256字节
自动地址递增( AAI)字编程
- 降低整个芯片的编程时间字节编程
操作
可锁定2K字节的OTP安全部门
SPI串行接口
- SPI兼容:模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护(
WP
)
保持引脚( HOLD )
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品编号
F25L32QA -50PAG
F25L32QA -86PAG
F25L32QA -100PAG
F25L32QA -50PHG
F25L32QA -86PHG
F25L32QA -100PHG
速度
50MHz
86MHz
100MHz
50MHz
86MHz
100MHz
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
16引脚SOIC
16引脚SOIC
16引脚SOIC
200mil
200mil
200mil
300mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
概述
该F25L32QA是32Megabit ,只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。该器件支持标准的串行
外设接口( SPI )和一个双/四路SPI 。 ESMT的
存储设备可靠地存储内存中的数据,即使10万
编程和擦除周期。
存储器阵列可以被组织成16384可编程
每256字节的页。 1到256字节可以在编程
时间的页面编程指令。该装置也可以是
编程,以降低整个芯片的编程时间与汽车
地址递增( AAI )编程。
该器件具有扇区擦除架构。在存储器阵列
分为1024统一扇区,每个4K字节; 64
均匀的块,每个64K字节。扇区可擦除
个别不影响其他部门的数据。块可以
单独擦除,而不影响在其它块中的数据。
整片擦除功能,能够灵活地修改
在该装置的数据。该器件具有行业,阻止或芯片擦除
但无页擦除。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修订: 0.2
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