ESMT
FL灰
特点
单电源电压2.7 〜 3.6V
标准,双SPI
速度
- 读取最大频率: 33MHz的
- 快速阅读最大频率: 50MHz的; 100MHz的
- 快速阅读的双最高频率: 50MHz的/ 100MHz的
(为100MHz / 200MHz的双等值SPI )
低功耗
- 工作电流: 35毫安
- 待机电流: 30
μ
A
可靠性
- 100,000次编程/擦除周期
- 20岁的数据保留
节目
- 字节编程时间: 7
μ
S(典型值)
- 页编程时间: 1.5毫秒(典型值)
抹去
- 芯片擦除时间为10秒(典型值)
- 块擦除时间为1秒(典型值)
- 扇区擦除时间90毫秒(典型值)
网页编程
- 每个可编程页256字节
F25L16PA
3V只有16兆位串行闪存,配有双
自动地址递增( AAI)字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
可锁定4K字节的OTP安全部门
SPI串行接口
- SPI兼容:模式0和模式3
编程或擦除检测结束
写保护(
WP
)
保持引脚( HOLD )
所有无铅产品均符合RoHS标准
订购信息
产品编号
F25L16PA -50PG
F25L16PA -100PG
F25L16PA -50PAG
F25L16PA -100PAG
F25L16PA -50DG
F25L16PA -100DG
速度
50MHz
包
8引脚SOIC
150mil
150mil
200mil
200mil
300mil
300mil
评论
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
无铅
100MHz的8引脚SOIC
50MHz
8引脚SOIC
100MHz的8引脚SOIC
50MHz
100MHz
8引脚PDIP
8引脚PDIP
概述
该F25L16PA是16Megabit ,只有3V CMOS串行闪存
存储器设备。该器件支持标准的串行
外围接口(SPI) ,和一个双SPI 。 ESMT的记忆
设备可靠地存储内存中的数据,即使10万
编程和擦除周期。
存储器阵列可以被组织成8192的可编程
每256字节的页。 1到256字节可以在编程
时间的页面编程指令。该装置也可以是
编程,以降低整个芯片的编程时间与汽车
地址递增( AAI )编程。
该器件具有扇区擦除架构。在存储器阵列
分为512统一的部门,每个4K字节; 32均匀
块,每个64K字节。扇区可单独擦除
在不影响其他部门的数据。块可擦除
单独地在不影响在其它块中的数据。整个芯片
擦除功能,能够灵活地修改了数据
装置。该器件具有行业,阻止或芯片擦除,但没有任何页面
抹去。
该部门保护/撤消功能禁用这两个方案,并
中的扇区的任意组合擦除操作
内存。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年7月
修订: 1.4
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