ESMT
F25L016A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
表2 : F25L016A块保护表
防护等级
0
上1/32
上1/16
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
无
31座
块30 〜 31
块28 〜 31
块24 〜 31
块16 〜 31
块0 〜 31
块0 〜 31
地址范围
无
1F0000h - 1FFFFFH
1E0000h - 1FFFFFH
1C0000h - 1FFFFFH
180000h - 1FFFFFH
100000H - 1FFFFFH
000000 〜 1FFFFFH
000000 〜 1FFFFFH
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )位定义的大小
存储器区域,如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写(编程或擦除)操作。该
写状态寄存器( WRSR )指令用于编程
BP2中,P1 ,BP0只要位
WP
是高还是
块保护-看( BPL )位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位全部为0。上电后, BP2 ,
BP1和BP0被设置为1 。
块保护锁断( BPL )
WP
引脚驱动为低电平(V
IL
) ,使块保护
-lock -向下( BPL )位。当BPL被设置为1时,它可以防止任何
进一步改变的BPL , BP2 , BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平(V
IH
) , BPL位没有任何作用,其
值是“不关心” 。上电后, BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2008年7月
修改:
1.2
6/32