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说明
指令用于读取，写入（擦除和编程） ，以及
配置F25L008A 。指令总线周期是8位
对于每一个命令（操作码） ，数据和地址。之前
执行任何字节编程，扇区擦除，块擦除，或
芯片擦除指令，写使能（ WREN）指令
必须首先执行。指令的完整列表
在表5中提供的所有说明都是同步掀起了高
CE低过渡。输入将在上升沿接受
的SCK先从最显著位。 CE必须驱动
F25L008A
工作温度条件-40
°C
~85
°C
低的指令之前进入，而且必须被驱动为高电平后，
指令的最后一位被移位（除了读取，
读ID和读状态寄存器指令） 。任何由低到高
在过渡CE ，接收指令的最后一位之前
总线周期，将终止正在执行的指令，并返回
设备到待机模式。
指令命令（操作码） ，地址和数据都是
从最显著位（MSB）的第一输入端。
表5 ：设备操作说明
循环型/
手术
1,2
读
高速阅读
扇区擦除
4,5
（ 4K字节）
块擦除（ 64K字节）
芯片擦除
6
字节编程
5
自动地址递增， WOR
D编程（ AAI ）
读状态寄存器
（ RDSR ）
启用 - 写状态， Registe
50
兆赫
r
8
（ EWSR ）
写状态寄存器
8
（ WRSR ）
写使能（WREN ）
11
写禁止（WRDI ）
读电子签名
（ RES ）
符合JEDEC读ID （ JEDEC -ID ）
阅读-ID （ RDID ）
使SO输出RY / BY ＃
在AAI （ EBSY ）状态
关闭
SO
to
产量
RY / BY ＃
在AAI （ DBSY ）状态
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
100
兆赫
最大
频率
33
兆赫
1
S
IN
03H
0BH
20H
D8H
60H
C7H
02H
ADH
05H
50H
01H
06H
04H
ABH
9FH
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
S
IN
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
-
2
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
-
高阻
高阻
D
OUT
-
高阻
-
总线周期
3
S
IN
S
OUT
A
15
-A
8
高阻
A
15
-A
8
高阻
A
15
-A
8
高阻
A
15
-A
8
高阻
-
A
15
-A
8
A
15
-A
8
-
-
-
-
-
高阻
高阻
记
7
-
-
-
4
S
IN
A
7
-A
0
A
7
-A
0
A
7
-A
0
A
7
-A
0
-
S
OUT
S
IN
HI- Z X
HI- Z X
高阻
-
高阻
-
-
-
D
IN
5
S
OUT
D
OUT
X
-
-
-
高阻
高阻
记
7
-
-
-
D
IN
1
高阻
S
IN
X
6
S
OUT
D
OUT
HI- Z A
23
-A
16
HI- Z A
23
-A
16
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
X
-
数据
-
-
X
X
A
7
-A
0
高阻
A
7
-A
0
HI- Z数
IN
0
-
-
-.
-
记
7
-
-
-
-
-
-
-
13H
8CH
高阻
-
-
-
X
A
15
-A
8
-
-
-
20H
高阻
-
-
-
X
-
14H
-
-
X
-
-
-
-
8CH
13H
-
-
X
13H
8CH
10
90H
(A0=0)
HI- Z A
23
-A
16
90H
(A0=1)
70H
80H
高阻
高阻
-
-
A
7
-A
0
高阻
-
-
-
-
操作：•
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出
X =虚拟输入周期（V
IL
或V
IH
） ; - =不适用的周期数（周期数是不必要的）
一个总线周期为8个时钟周期。
扇区地址：使用AMS - A12 ，其余地址可V
IL
或V
IH
在此之前的任何字节编程，扇区擦除，块擦除或芯片擦除操作，写使能（ WREN）指令必须是
执行。
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令， ADH ，随后的数据是
编程。
在读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须协同工作
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修改：
1.2
8/30
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