ESMT
48
47
2
:
32
31
1
:
16
15
0
:
0
4KB
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
4KB
:
4KB
030000H - 030FFFH
02F000H - 02FFFFH
:
020000H - 020FFFH
01F000H - 01FFFFH
:
010000H - 010FFFH
00F000H - 00FFFFH
:
000000 - 000FFFh
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
F25L008A
工作温度条件-40
°C
~85
°C
表2 ： F25L008A块保护表
防护等级
0
上1/16
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
无
15座
块14 〜 15
12座〜 15
块8 〜 15
块0 〜 15
块0 〜 15
块0 〜 15
地址范围
无
F0000H - FFFFFH
E0000H - FFFFFH
C0000H - FFFFFH
80000H - FFFFFH
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
00000H - FFFFFh地址
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位定义的大小
存储器区域，如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写（编程或擦除）操作。该
写状态寄存器（ WRSR ）指令用于编程
BP2中，P1 ，BP0只要位
WP
是高还是
块保护-看（ BPL ）位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位全部为0。上电后， BP2 ，
BP1和BP0被设置为1 。
块保护锁断（ BPL ）
WP
引脚驱动为低电平（V
IL
） ，使块保护
-lock -向下（ BPL ）位。当BPL被设置为1时，它可以防止任何
进一步改变的BPL ， BP2 ， BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平（V
IH
） ， BPL位没有任何作用，其
值是“不关心” 。上电后， BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修改：
1.2
4/30
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
