ESMT
说明
指令用于读取，写入（擦除和编程） ，以及
配置F25L008A 。指令总线周期是8位
对于每一个命令（操作码） ，数据和地址。之前
执行任何字节编程，扇区擦除，块擦除，或
芯片擦除指令，写使能（ WREN）指令
必须首先执行。指令的完整列表
在表5中提供的所有说明都是同步掀起了高
CE低过渡。输入将在上升沿接受
的SCK先从最显著位。 CE必须驱动
F25L008A
低的指令之前进入，而且必须被驱动为高电平后，
指令的最后一位被移位（除了读取，
读ID和读状态寄存器指令） 。任何由低到高
在过渡CE ，接收指令的最后一位之前
总线周期，将终止正在执行的指令，并返回
设备到待机模式。
指令命令（操作码） ，地址和数据都是
从最显著位（MSB）的第一输入端。
表5 ：设备操作说明
循环型/
手术
1,2
读
高速阅读
扇区擦除
4,5
（ 4K字节）
块擦除（ 64K字节）
芯片擦除
6
字节编程
5
自动地址递增， WOR
D编程（ AAI ）
读状态寄存器
（ RDSR ）
启用 - 写状态， Registe
50
兆赫
r
8
（ EWSR ）
写状态寄存器
（ WRSR ）
8
写使能（WREN ）
11
写禁止（WRDI ）
读电子签名
（ RES ）
符合JEDEC读ID （ JEDEC -ID ）
阅读-ID （ RDID ）
使SO输出RY / BY ＃
在AAI （ EBSY ）状态
关闭
SO
to
产量
RY / BY ＃
在AAI （ DBSY ）状态
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
100
兆赫
最大
频率
33
兆赫
1
S
IN
03H
0BH
20H
D8H
60H
C7H
02H
ADH
05H
50H
01H
06H
04H
ABH
9FH
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
S
IN
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
-
2
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
-
高阻
高阻
D
OUT
-
高阻
-
总线周期
3
S
IN
S
OUT
A
15
-A
8
高阻
A
15
-A
8
高阻
A
15
-A
8
高阻
A
15
-A
8
高阻
-
A
15
-A
8
A
15
-A
8
-
-
-
-
-
高阻
高阻
记
7
-
-
-
4
5
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
A
7
-A
0
HI- Z X
D
OUT
A
7
-A
0
HI- Z X
X
A
7
-A
0
高阻
-
-
A
7
-A
0
高阻
-
-
-
-
-
D
IN
-
高阻
高阻
记
7
-
-
-
D
IN
1
高阻
A
7
-A
0
高阻
S
IN
X
6
S
OUT
D
OUT
HI- Z A
23
-A
16
HI- Z A
23
-A
16
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
X
-
数据
-
-
X
X
A
7
-A
0
HI- Z数
IN
0
-
-
-.
-
记
7
-
-
-
-
-
-
-
13H
8CH
高阻
-
-
-
X
A
15
-A
8
-
-
-
20H
高阻
-
-
-
X
-
14H
-
-
X
-
-
-
-
8CH
13H
-
-
X
13H
8CH
10
90H
(A0=0)
HI- Z A
23
-A
16
90H
(A0=1)
70H
80H
高阻
高阻
-
-
A
7
-A
0
高阻
-
-
-
-
操作：•
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出
X =虚拟输入周期（V
IL
或V
IH
） ; - =不适用的周期数（周期数是不必要的）
一个总线周期为8个时钟周期。
扇区地址：使用AMS - A12 ，其余地址可V
IL
或V
IH
在此之前的任何字节编程，扇区擦除，块擦除或芯片擦除操作，写使能（ WREN）指令必须是
执行。
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令， ADH ，随后的数据是
编程。
在读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须协同工作
的对方。 WRSR指令必须在EWSR指令，使两者之后（很下一个总线周期）执行
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修改：
1.6
9/32
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