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F25L004A-50DIG 参数 Datasheet PDF下载

F25L004A-50DIG图片预览
型号: F25L004A-50DIG
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内容描述: 3V只有4兆位串行闪存操作温度条件-40 ° C〜 85°C [3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory Operation Temperature Condition -40°C ~85°C]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 33 页 / 560 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
表2 : F25L004A块保护表
F25L004A
工作温度条件-40
°C
~85
°C
防护等级
0
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有块
所有块
所有块
所有块
0
0
0
0
1
1
1
1
状态寄存器位
BP2
BP1
0
0
1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
0
1
0
1
受保护的存储区
块范围
7座
块6 〜 7
块4 〜 7
块0 〜 7
块0 〜 7
块0 〜 7
块0 〜 7
地址范围
70000h 〜 7FFFFH
60000H - 7FFFFH
40000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
00000H - 7FFFFH
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )
块保护( BP2 , BP1 , BP0 )位定义的大小
存储器区域,如在表2中限定为软件保护
对任何存储器写(编程或擦除)操作。该
写状态寄存器( WRSR )指令用于编程
BP2 , BP1 , BP0只要位
WP
是高还是
块保护-看( BPL )位为0芯片擦除只能是
如果执行块保护位全部为0。上电后, BP2 ,
BP1和BP0被设置为1 。
块保护锁断( BPL )
WP
引脚驱动为低电平(V
IL
) ,使块保护
-lock -向下( BPL )位。当BPL被设置为1时,它可以防止任何
进一步改变的BPL , BP2 , BP1和BP0位。当
WP
引脚驱动为高电平(V
IH
) , BPL位没有任何作用,其
值是“不关心” 。上电后, BPL位复位为0 。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修改:
1.3
5/33