ESMT
说明
指令用于读取，写入（擦除和编程） ，以及
配置F25L004A 。指令总线周期是8位
对于每一个命令（操作码） ，数据和地址。之前
执行任何字节编程，自动地址递增（ AAI ）
编程，扇区擦除，块擦除或芯片擦除
说明，写使能（ WREN）指令必须是
首先执行。在提供的说明书完整列表
表5.所有的指令都同步掀起了前高后低
CE的过渡。输入将在上升沿接受
F25L004A
SCK先从最显著位。 CE必须驱动
低的指令之前进入，而且必须被驱动为高电平后，
指令的最后一位被移位（除了读取，
读ID和读状态寄存器指令） 。任何由低到高
在过渡CE ，接收指令的最后一位之前
总线周期，将终止正在执行的指令，并返回
设备到待机模式。
指令命令（操作码） ，地址和数据都是
从最显著位（MSB）输入第一
表5 ：设备操作说明
循环型/
1,2
手术
读
高速阅读
扇区擦除
4,5
（ 4K字节）
块擦除
5
（ 64K字节）
芯片擦除
5
字节编程
5
自动地址递增字
编程（ AAI ）
6
读状态寄存器
（ RDSR ）
启用 - 写状态寄存器
（ EWSR ）
8
写状态寄存器
（ WRSR ）
8
写使能（WREN ）
11
写禁止（WRDI ）
读电子签名
（ RES ）
9
S
IN
S
OUT
33
兆赫
03H高阻
0BH高阻
20H高阻
D8H高阻
60H
高阻
C7H
02H高阻
最大
频率
1
2
S
IN
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
-
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
-
总线周期
3
4
5
6
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
S
IN
S
OUT
A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻X（D）
OUT
A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
HI- Z X
X
x深
OUT
A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
-
-
-
-
A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
-
-
-
-
-
-
-
-
-
D
IN
-
高阻
-
-
-
-
A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
ADH的Hi- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
HI- Z数
IN
0的Hi- Z数
IN
1高阻
05H
50
兆赫
50H
01H
06H
04H
100
兆赫
ABH
9FH
90H
(A0=0)
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
X
-
数据
-
-
X
X
D
OUT
-
高阻
-
-
12H
8CH
-
-
-
-
-
-
X
记
7
-
-
-
-
-
20H
-
-
-.
-
-
-
X
记
7
-
-
-
-
-
13H
-
-
-
-
-
-
-
X
-
-
记
7
-
-
-
-
-
-
8CH
12H
-
-
-
-
-
-
-
-
-
X
-
-
-
-
-
-
-
12H
8CH
符合JEDEC读ID （ JEDEC -ID ）
10
阅读-ID （ RDID ）
使SO输出RY / BY ＃
在AAI （ EBSY ）状态
SO禁用输出RY / BY ＃
在AAI （ DBSY ）状态
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
90H
(A0=1)
HI- Z A
23
-A
16
HI- Z A
15
-A
8
HI- Z A
7
-A
0
高阻
高阻
高阻
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
70H
80H
操作：•
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出
X =虚拟输入周期（V
IL
或V
IH
） ; - =不适用的周期数（周期数是不必要的）
一个总线周期为8个时钟周期。
扇区地址：使用AMS - A12 ，其余地址可V
IL
或V
IH
在此之前的任何字节编程，扇区擦除，块擦除或芯片擦除操作，写使能（ WREN）指令必须是
执行。
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令， ADH ，随后的数据是
编程。
在读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须协同工作
的对方。 WRSR指令必须在EWSR指令，使两者之后（很下一个总线周期）执行
指令有效。
在读电子签名是连续的，要去时钟周期，直到被终止低到高CE过渡。
9.
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年1月
修订： 1.6
7/30
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
