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F25L004A-100DG 参数 Datasheet PDF下载

F25L004A-100DG图片预览
型号: F25L004A-100DG
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内容描述: 3V只有4兆位串行闪存 [3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 30 页 / 418 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
快速阅读( 50兆赫, 100兆赫)
在高速读取指令,支持高达100 MHz的是
通过执行一个8位的命令发起的, 0BH ,随后
地址位[A
23
-A
0
]和一个空字节。 CE必须保持活跃
低的高速-读周期的持续时间。见图3
对于高速读取序列。
下面的一个空字节( 8个时钟输入空周期),则
高速读指令输出从开始的数据
指定的地址位置。数据输出流是连续的
F25L004A
通过所有地址,直到被终止低到高的转变
在CE上。内部地址指针将自动递增
直到最高的存储器地址被达到。一旦最高
存储器地址被达到时,地址指针将
自动递增到的开始(环绕)
地址空间,即对于4Mbit的密度,一旦从地址中的数据
位置7FFFFH已被读出时,下一个输出将是从
地址单元000000H 。
CE
MODE3
SCK MODE0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
71 72
80
SI
最高位
0B
添加。
最高位
高IMPENANCE
添加。
添加。
X
N
D
OUT
最高位
N+1
D
OUT
N+2
D
OUT
N+3
D
OUT
N+4
D
OUT
SO
注:X =空字节: 8个时钟输入虚拟(V
IL
或V
IH
)
图3 :高速读取序列
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年1月
修订: 1.6
9/30