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    M24L48512DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L48512DA-70BEG图片预览
    型号： M24L48512DA-70BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8 ）伪静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Pseudo Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 278 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L48512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    Pin Configuration[1]
    M24L48512DA
    Product Portfolio
    Power Dissipation
    Product
    Min.
    V
    CC
    Range(V)
    Speed
    (ns)
    Max.
    55
    M24L48512DA
    2.7
    3.0
    3.6
    60
    70
    1
    5
    Operating, I
    CC
    (mA)
    f = 1 MHz
    Typ.[2]
    Max.
    f = f
    MAX
    Typ.[2]
    14
    8
    Max.
    22
    15
    Standby, I
    SB2
    (µA)
    Typ.[2]
    Max.
    Typ.
    17
    40
    Notes:
    1. NC “no connect”—not connected internally to the die.
    2.Typical values are included for reference only and are not guaranteed or tested. Typical values are measured at V
    CC
    = V
    CC (typ)
    and T
    A
    = 25°C.
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date: Jul. 2008
    Revision: 1.1
    2/12

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