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    M24L28256SA 参数 Datasheet PDF下载

    M24L28256SA图片预览
    型号： M24L28256SA
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    内容描述： 2兆位（ 256K ×8 ）伪静态RAM [2-Mbit (256K x 8) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 243 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M24L28256SA的Datasheet PDF文件第10页  
    ESMT  
    M24L28256SA  
    Switching Waveforms (continued)  
    Write Cycle 1 (WE Controlled)[10,11, 15, 16, 17]  
    Write Cycle 2 (CE Controlled) [9, 10, 15, 16, 17]  
    Notes:  
    15.Data I/O is high impedance if OE ≥ VIH.  
    16. If Chip Enables go INACTIVE simultaneously with WE =HIGH, the output remains in a high-impedance state.  
    17.During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date : Jul. 2008  
    Revision : 1.1 6/12  

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