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M13S64164A_09 参数 Datasheet PDF下载

M13S64164A_09图片预览

型号：	M13S64164A_09
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内容描述：	1M ×16位×4银行双倍数据速率SDRAM [1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	48 页 / 1552 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

M13S64164A

Read with Auto Precharge (@ BL=8)

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

C L K

C L K

H I G H

C K E

C S

R A S

C A S

BAa

BAa

B A 0 , B A 1

R a

R a

A1 0 /AP

AD D R

C a

( A 0~ An )

W E

Au t o p r e c h a r g e s t a r t

tR P

Note1

DQ S ( C L = 3 )

D Q ( C L = 3 )

Qa4 Qa5

Qa7

Qa0

Qa3

Qa6

Qa1 Qa2

D M

C O M M A N D

ACTIVE

READ

Note: 1. The row active command of the precharge bank can be issued after t_RPfrom this point.

The new read/write command of another activated bank can be issued from this point.

At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same bank is illegal.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jun. 2009

Revision : 1.4 34/48

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