ESMT
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)
(TSOPII 66L, 400milX875mil Body, 0.65mm Pin Pitch)
M13S64164A (2Y)
BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)
(BGA60, 8mmX13mmX1.2mm Body, 0.8mm Ball Pitch)
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
CLK
CLK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
A
V
SSQ
2
DQ15
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
SS
CLK
NC
A11
A8
A6
A4
3
V
SS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
CLK
CKE
A9
A7
A5
V
SS
7
V
DD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
WE
RAS
BA1
A0
A2
V
DD
8
DQ0
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
DD
CAS
CS
BA0
A10/AP
9
V
DDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
B
DQ14
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
DQ12
DQ10
DQ8
V
REF
A1
A3
Pin Description
Pin Name
Function
Address inputs
- Row address A0~A11
- Column address A0~A7
A10/AP: AUTO Precharge
BA0, BA1: Bank selects (4 Banks)
Data-in/Data-out
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
Ground
Power
Pin Name
Function
DM is an input mask signal for write data.
LDM corresponds to the data on DQ0~DQ7;
UDM correspond to the data on DQ8~DQ15.
Clock input
Clock enable
Chip select
Supply Voltage for DQ
Ground for DQ
Reference Voltage for SSTL_2
No connection
A0~A11,
BA0, BA1
LDM, UDM
DQ0~DQ15
RAS
CAS
WE
CLK, CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
V
REF
NC
V
SS
V
DD
Bi-directional Data Strobe.
LDQS, UDQS LDQS corresponds to the data on DQ0~DQ7;
UDQS correspond to the data on DQ8~DQ15.
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Apr. 2012
Revision : 1.0
3/49
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
